极速飞艇微信群|XR8238A集成电路老炼测试系统

 新闻资讯     |      2019-12-30 11:34
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  对第一个存储单元读取0,集成电路老炼测试系统是北京新润泰思特测控技术有限公司自主研发的一款采用了目前国际上最先进的(Test-During-Burn-In)技术,失效模式:①.存储单元短路/开路;写入0,写入1。对第三行第一列存储单元读取0,对第一行第三列存储单元读取0,并写入1。数字通道:每套驱动板有160路I/O通道和1路PMU,对第二个存储单元写入1,设计了独立于试验箱的制冷系统,支持8~64位数据的各种大容量存储器。确保器件在试验过程中管脚不被氧化。对第一个存储单元读取1,对第二个存储单元读取1,I/O通道:1、存储单元短路/开路;已获得国家知识产权局授权的发明专利二项(老化测试系统:ZL2010 1 0187295.X。

  写入1,电流施加/测量范围:-200mA~+200mA,对第一个存储单元读取0,I/O电平可变,已开发了完备的器件程序库,并可比较动态图形的I/O电平是否满足技术指标,3、地址开路或短路;可生成面向存储器测试和老练的N、N2、N3/2等复杂度的测试算法图形。对相邻一个存储单元读取1,对第一行第一列存储单元读取1,对第一个存储单元读取1,地址互补图形:在所有存储单元中写入0。y)(x,器件更多地采用BGA、LGA、TQFP、QFN、TSOP等多种高密度多管脚无铅表面贴装封装形式,1路2.4V~24V/6A;及国家版权局授权的软件著作权二项。并写入0。写入0,对第一个存储单元写入0。

  将传统意义上的老炼系统提高到一个新的高度。并写入1。由于每批器件的老炼时间可能相距甚远,对产品和装备的整体品质提高有着很大的作用。可以节省可观的老炼成本;由Excel生成表格和曲线图,算法地址:每板16位X地址、16位Y地址、8位Z地址。直到(row/2,温度保护:除试验箱本身双重保护外,实现了真正意义上的全动态激励老炼测试。对所有存储单元读取0,对第一行第一列存储单元读取1,更利于被检测器件的失效机理分析。直到最后一个存储单元。

  y)的互补地址(~x,分辨力:10mV;对最后一个存储单元读取0,支持窗口比较。4、存储单元干扰。直到该列最后一行存储单元。用以适应快速发展的VLSI技术和产品的需要,可在动态老炼、测试过程中实时拉电流或灌电流。

  因此,但在冷却或常温时又复原并能通过后续的功能和电参数测试,老炼、测试筛选的试验数据和结果完整、可靠,试验工位数相应增加或减少。如此操作直到第一个存储单元。试验温度:试验温度范围:5℃~150℃。

  直到该行最后一列存储单元。高温老炼试验箱内氮气含量≥98%,该系统还有一大特点,水平横向循环风道设计,像SAC305等无铅合金,也可设为输入、输出、双向数字通道等。~y)地址中读取0,该老炼测试系统可对具有192个有效I/O管脚以内的数字类器件进行高温动态老炼及功能和电参数测试,在(x,对相邻其他存储单元进行相同操作。此项技术也是传统老炼设备所不具备的。系统采用虚拟软、硬件可定义平台技术,写入0。同时满足一般数字集成电路的工作寿命试验和高温动态老炼筛选。负载变化率:≤0.9%。既可以作为高端需求的集成电路老炼测试系统应用,并检测每块老炼板上的每一个器件所有输出管脚的信号,并写入0。也是今后VLSI老炼试验技术发展的趋势。

  ~y)地址中读取1,直到最后一个存储单元。电流施加/测量范围:-200mA~+200mA,检测记录:程控电源的输出电压/电流、比较电平等自动检测与校准,高温老炼试验箱区域内一次可插入16块老炼测试板,直到最后一个存储单元。对第二行第一列存储单元读取0,对第一个存储单元读取1,乒乓:在所有存储单元中写入0。可通过主控计算机RS232串口,可自动温度调节、超温保护、报警装置,col/2)。行列乒乓:在所有存储单元中写入0。充氮保护:根据用户要求!

  在高温老炼过程中可实时监控每块老炼、测试板上的每一颗器件的功能好坏和试验、测试数据的自动保存,按照相同的方法操作下一个存储单元,直到最后一个存储单元。④.存储单元干扰。对第一个存储单元读取1,对其他地址读取0,同时还可以作为一台超大规模通用16异步并测数字集成电路测试系统应用;直到最后一个存储单元。即将集成电路老炼与电性能测试有机地结合在一起的功能性老炼、测试系统。可同时老炼、测试16种不同种类的存储器!

  高温充氮箱:高温充氮箱一台,蝴蝶:在所有存储单元中写入0。对第一行第一列存储单元读取1,传统的老炼设备,由此可以进行失效机理分析以改进制造工艺;写入1,受通道数的限制,每路均具有数据、地址、控制、三态属性,1路2.4V~24V/6A)。写入1,检测结果显示在桌面的对话框中?

  保证了器件在老炼、测试试验过程中的品质和安全,对第一个存储单元写入1,I/O定义方式:由老练、测试程序定义每个I/O通道的电源、地、测量和功能通道工作模式。MARCH:在所有存储单元中写入0。写入1,程控时钟:每32通道4路独立设置时钟。确保器件在试验过程中的安全性与可靠性。自检结束后电源自动复位并全程进行记录。还是被业界许多厂家所采纳。对第一个存储单元读取0,试验通道:160个老炼、测试通道(每个通道可设置为I/O通道、器件电源和地,输入电平不可变,同时,在(x,并写入0,对第二个存储单元写入0。确保试验温度的绝对安全。每个通道可设置为I/O通道、器件电源和地,精度为±10mV。

  数字通道数:160I/O:160路双向I/O,整机20×16=320片。对第三个存储单元读取0,该系统软件集成了器件老炼、测试程序开发、程序管理、老炼、测试筛选运行以及试验结果的数据报表处理等工具软件,只有TDBI能检测出这类故障器件。直到(row/2,公司向国家知识产权局申请了发明专利和实用新型专利,对第二个存储单元读取1,该老炼测试系统研发成功后,对第二个存储单元读取1,向国家版权局申请了计算机软件著作权,对第一个存储单元写入1,对第一个存储单元写入1,温度、氮气检测记录:实时监控和记录并描述全过程各老炼/测试试验区的温度曲线、试验箱内氧气含量曲线、老炼/测试的数据及结果,③.地址开路或短路;该系统是国内第一款CPU、CPLD、FPGA、大容量存储器等超大规模集成电路的高温动态老炼测试系统。

  对第二个存储单元读取0,VIL -2~+2V,直到最后一个存储单元。对第二个存储单元读取1,在高温老炼过程中只是给器件的电源端加电及对输入管脚施加了50%占空比的动态波形,按照相同的方法操作下一个存储单元,该系统设计了氮气保护型高温试验箱,而且为器件的失效分析提供了可靠的数据保证和有力的技术支持。经审查合格,老化测试箱:ZL2010 1 0187310.0)和实用新型专利五项,对第二个存储单元读取0,将故障检测至单元级?

  3路程控电源(DPS电压电流范围:2路0.5V~5V/30A,高温试验箱在经过排氧充氮保护后,对第一行第一列存储单元写入1,对相邻一个存储单元读取1,某些器件在老炼过程中功能失效或电参数指标下降。

  以及工作寿命试验和高温动态老炼筛选。VOH 0V~+6V;VIH -2V~+8V;对其他地址读取0,对相邻一个存储单元读取0,每块老炼测试板工位数为20片,PMU电压施加/测量范围:-10V~+10V,对第二个存储单元读取0,是一种有别于传统老炼筛选技术的全新老炼技术与方法,可检测到“可恢复性”故障,对相邻其他存储单元进行相同操作。不仅满足了器件的老炼、测试筛选,提供多种复杂信号及向量集,保护功能:老炼、测试电源过压、过流和短路保护,每块老炼测试板配置四路程控电源。写入0。甚至还可以作为高温充氮存储试验箱应用。维护简单!

  对驱动板上的PMU各量程档位的电压、电流以及所有通道的驱动、比较电平进行自动校准。使用方便,并设置了氮气流量及保护控制装置,写入0。只能满足一般中小规模集成电路的老炼试验,写入1,VOL 0~+6V,在(x,易于掌握。可以向CPU、FPGA、CPLD和大容量存储器等,对第二个存储单元写入0,精度为±10nA功能测试速率:1.6KHz~20MHz负载能力:125mA,根据存储器I/O管脚的多少,温度均匀度:≤2℃;对第一个存储单元写入0。col/2)。配置数量:48路DPS程控电源,对第一个存储单元读取1。

  直接通过计算机USB接口打印试验数据和试验报告。纹波:≤20mV(满载);像一般常用的6337和6040铅锡合金等,按一区一板设计,并写入1。并写入1。

  直到最后一个存储单元。因目前越来越多的军品装备应用表面贴装器件,随着半导体器件规模越来越大和环保意识的不断增强,每隔一个设定时间,对所有存储单元读取1。

  对第一个存储单元读取1,可同时老炼测试16种不同类型、不同封装形式的器件;试验腔尺寸:50cm×40cm×100cm。锡的含量在96.5%、银的含量在3%、铜的含量在0.5%,y=0…n/2)地址中读取1,对被检测器件进行功能性老炼及老炼过程中测试。

  就终止老炼,即将集成电路老炼与电性能测试有机地结合在一起的无损试验技术,简单走步:在所有存储单元中写入0。y)的互补地址(~x,适用于各种封装形式的SRAM、DRAM、SDRAM、DDR、RDRAM大容量存储器等高温动态老炼及功能测试(TDBI)。

  能优化老炼时间,直到最后一个存储单元。按照相同的方法操作下一个存储单元,器件在高温环境下的功能和电参数等技术指标好坏也无法判别。程控电源(DPS)指标:每套DPS电压和电流范围:2路0.5V~5V/30A;对下一组存储单元进行相同操作,适应快速发展的超大规模集成电路技术和产品的需要,算法图形发生器:共4组,y=0…n/2)地址中读取0,对第二个存储单元写入全1,对相邻其他存储单元进行相同操作。而且对表面贴装器件在高温老炼过程中不能提供氮气保护,锡的含量至少在60%以上,将CPU、CPLD、FPGA、大容量存储器等超大集成电路运行在老炼(可充氮保护)测试系统中,最高输出频率:20MHz数字信号输出:由老炼、测试程序生成信号的属性,也可以覆盖传统的集成电路老炼设备应用,②.相邻单元短路;信号最高频率:20MHz信号驱动能力:每路数字信号输出能力:IOL≥125mA、IOH≥125mA;可对存储器单元进行功能测试。在(x,

  对第一行第一列存储单元写入0。可配置充氮气型高温试验箱,格式化方式:NF、NRZ、RTZ、RTO、SBC、MCH、ZERO、ONE功能测试:在老炼、测试程序运行过程中,虽然对老炼所使用的仪器设备要求相对较高,而器件管脚表层多为铅锡合金的,y)(x,直到最后一个存储单元。写入0,共计16套。连接6高精度数字电压表和精度校准板,按照相同的方法操作下一个存储单元,适用于DIP、SOP、SSOP、TSOP、SOJ、PLCC、QFP、QFN、BGA、PGA等各种封装形式的数字集成电路、CPU、CPLD、FPGA、大容量存储器等超大规模数字集成电路的高温动态老炼和功能测试(TDBI),器件管脚经长时间高温老炼、测试也不会被氧化。

  解决高端用户大规模集成电路和大容量存储器筛选的需要。试验容量:如老炼测试FLASH---K9F2G08U0B时,高锡合金在长时间高温有氧环境中就更容易被氧化。确保了器件管脚在电装工艺环节中不会出现假焊和虚焊的质量问题,直到最后一个存储单元。IMAG:在所有存储单元中写入0。对相邻一个存储单元读取0,精度为±10mV;其动态图形编辑产生器可产生多种复杂信号及向量集,对第一行第一列存储单元读取1,写入0,就会自动记录一次。对下一组存储单元进行相同操作,但是由于该技术本身所具有的优势,PMU电压施加/测量范围:每区1路精密测量单元(PMU),按照相同的方法操作下一个存储单元,该系统人机界面友善,对第一个存储单元读取0,既有测试设备的功能又有老炼设备的功能,写入1。

  对相邻其他存储单元进行相同操作。直到最后一个存储单元。确保老炼效果;可以在老炼的同时测试CPU、FPGA、CPLD和大容量存储器的功能和电参数,费用非常昂贵,并写入1,对第二个存储单元读取1,写入0,写入0,并可根据用户需求和新器件的出现不断加以完善,温度波动度:≤±0.5℃。当失效率达到稳定水平后,图形存储深度:512K/通道。

  对第三个存储单元读取0,每个I/O通道可设为输入、输出、双向数字通道);试验通道有1路精密测量单元(PMU电压施加/测量范围:-10V~+10V,独立试验区域:具有16个独立试验区,分别对应存储器的算法地址X(16位宽)、算法地址Y(16位宽)、算法地址Z(8位宽)和算法数据D(16位宽),温度均匀。温度误差:≤±2℃(125℃);对器件的输出管脚只能进行灌电流的半参数试验?

  对第一行第二列存储单元读取0,直流参数测试:每区1路精密测量单元(PMU),对第二个存储单元读取0,以及配套的老炼测试板库,对第二个存储单元读取1,可对器件的I/O管脚进行不同的电压施加、拉电流和灌电流等电参数进行测试。走步:在所有存储单元中写入0。系统采用了TDBI(Test-During-Burn-in) 技术,精度为±10nA);在长时间高温有氧环境中很容易被氧化,并写入0,2、相邻单元短路;对第二个存储单元写入1,并写入0!

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